差动电流放大单元（吉尔伯特增益单元)如图3．4．8所示，晶体管VT1～VT4性能相同，其中一1＜x＜1，计算电流

差动电流放大单元(吉尔伯特增益单元)如图3．4．8所示，晶体管VT1～VT4性能相同，其中一1＜x＜1，计算电流增益

差动电流放大单元（吉尔伯特增益单元)如图3．4．8所示，晶体管VT1～VT4性能相同，其中一1＜x＜

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发布时间：2021-02-23

更多“差动电流放大单元（吉尔伯特增益单元)如图3．4．8所示，晶体管VT1～VT4性能相同，其中一1＜x＜1，计算电流”相关的问题

第1题

()在给学生讲课时,意外发现电流附近的小磁针发生偏转的现象。随后又做了60多次试验,确证了电流磁效应的存在。

（)在给学生讲课时,意外发现电流附近的小磁针发生偏转的现象。随后又做了60多次试验,确证了电流磁效应的存在。

A.奥斯特

B.吉尔伯特

C.库仑

D.伽伐尼

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第2题

在共基放大电路的基极接入电阻R_B,其交流通路如图LP4-19(a)所示,试画出交流等效电路,若r

在共基放大电路的基极接入电阻R_B,其交流通路如图LP4-19（a)所示,试画出交流等效电路,若r_{ce忽略不计,试求输入电阻R₁、输出电阻R₀、电流增益Af和源电压增益A_υ.表达式.}

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第3题

采用点对点9-2的智能站,若合并单元任意保护电流通道无效对线路差动保护产生的影响有。（假定保护线路差动保护只与间隔合并单元通信）（）

A.差动保护闭锁,后备保护开放

B.所有保护闭锁

C.所有保护开放

D.差动保护开放,后备保护闭锁

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第4题

由N沟道耗尽型场效应管构成的差动放大电路如图6－16所示。VT1、VT2特性相同，饱和电流IDSS=1.2mA，夹断电压Up=－2

由N沟道耗尽型场效应管构成的差动放大电路如图6-16所示。VT₁、VT₂特性相同，饱和电流I_DSS=1.2mA，夹断电压U_p=-2.4V。稳压管的U_DZ=6V，三极管的U_BE=0.6V，R_d=80kΩ， R_e=54kΩ，R_L=240kΩ，U_DD=15V，-U_EE=-15V。试计算：

(1) VT₁管的工作电流I_D1和G、S间电压U_GS1；

(2) 差模电压放大倍数A_ud。

由N沟道耗尽型场效应管构成的差动放大电路如图6－16所示。VT1、VT2特性相同，饱和电流IDSS=