试指出如何使用二用表电阻挡判别双极型晶体管的三个电极和类型.

试指出矩形波导(a×b)中H₁₀、H₁₁和E₁₁波型的电、磁场分量，相对于对称面、的对称性和反对称性。

A.生成混晶体的共沉淀

B.利用表面吸附进行的共沉淀

C.利用胶体的凝聚作用进行的共沉淀

D.利用形成离子缔合物进入具有相似结构的载体而被共沉淀

E.利用“固体萃取”进行的共沉淀

电路如下图所示，已知输入信号i_s(t)=I_smcos[ω_ct+m_fsin(Ωt)]，试说明i_s(t)、u(t)、u_O(t)波形各有什么特点，指出电路所完成的功能及电路名称。

同种化合物的晶体(如NH4Cl)，在一定温度下，结构从CsCl型转化为NaCl型，同时正、负离子间距有3％左右的变化，这种变化具有普遍性。试从理论上对离子间距的变化进行分析和估算，由此可以得出什么结论？(CsCl型及NaCl型的马德隆常数分别为1．763及1．748，玻恩指数可取为9)

在图22.12所示中，ROM的存储矩阵是由双极型晶体管构成的。(1)画出简化阵列图。(2)列表说明其存储的内容。(3)写出D₀～D₃的逻辑式。

极谱波形成的根本原因是()。

A．电化学极化的存在

B．电极表面附近产生浓差极化

C．溶液中被测物质向电极表面扩散

D．滴汞表面的不断更新

一个两级放大器如下图所示。已知场效应管VT₁的工艺参数k=0.125mA/V²，V_P=-4V。双极型晶体管VT₂为硅管，β=100，所有电容容抗可以忽略不计。求输入电阻R_i、输出电阻R_o和总电压放大倍数A_v。

计算本题应注意后一级的输入电阻对前一级的负载作用。