题目内容
(请给出正确答案)
[主观题]
CMP中的磨除速率是指CMP抛光时去除表面材料的速率,一般突出部分的磨除速率更低。()
此题为判断题(对,错)。
答案
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此题为判断题(对,错)。
第1题
AL 、 BL 中都是无符号数,若 (AL>(BL时,转到 NEXT 处。在执行 CMP AL, BL 指令 后应选用的指令()
A JNBE NEXT
B JNLE NEXT
C JBE NEXT
D JLE NEXT
第3题
设 OP1、 OP2是变量 , 下面哪条指令是非法的()
A CMP AX,OP1
B CMP OP1,OP2
C CMP BX,OP2
D CMP OP,0FFH
第4题
A.TEST AL, BL
B.CMP AL, BL
C.AND AL, BL
D.XOR AL, BL
第7题
下列指令执行后,不改变 AL 寄存器内容的指令是 () 。
A AND AL , 1
B CMP AL , DL
C XOR AL , AL
D.SUB AL , DL
第9题
A.CMP CX,0
B.MOV AX,CX JZ ZERO JZ ZERO
C.OR CX,CX
D. JCXZ ZERO JZ ZERO
第10题
使cMP升高抑制血小板聚集药物是
A.氨甲苯酸
B.链激酶
C.组织纤溶酶原激活因子
D.双密达莫
E.华法林
第11题
合成DNA的原料是()。
A.dAMP dGMP dCMP dTMP
B.dATP dGTP dCTP dTTP
C.dADP dGDP dCDP dTDP
D.ATP GTP CTP UTP
E.AMP GMP CMP UMP