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[主观题]

按照公式T=M!/N!(M-N)!计算T的值,请将程序填写完整。 ***主程序MAIN.PRG*** I=1 INPU

按照公式T=M!/N!(M-N)!计算T的值,请将程序填写完整。 ***主程序MAIN.PRG*** I=1 INPUT“请输入M的值:”TOM INPUT“请输入N的值:”TON DO PP1 WTTH 【 】 T=I DO PP1 WITH【 】 T=T/I DO PP1 WITH【 】 T=T/I ?“T=”,T RETURN ***下面为子程序PP1*** PARAMETERS Y STORE 1 TO M,I DO WHILE【 】 I=I*M M=M+1 ENDDO RETURN

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更多“按照公式T=M!/N!(M-N)!计算T的值,请将程序填写完整。 ***主程序MAIN.PRG*** I=1 INPU”相关的问题

第1题

下列程序中,函数fun的功能是:根据整型形参m的值,计算如下公式的值:t=1-1/(2×2)-1/(3×3)-…-1/(m×m

下列程序中,函数fun的功能是:根据整型形参m的值,计算如下公式的值:t=1-1/(2×2)-1/(3×3)-…-1/(m×m)请填空。

#include<conio.h>

#include<stdio.h>

double fun(int m)

{double y=1.0;int i;

for(______)

y-=1.0/(i*i);

return(y);

}

main()

{int n=5;

printf("\nThe result is%1f\n",fun(n));}

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第2题

在一个双链DNA分子中,碱基总数为m,腺嘌呤碱基数为n,G与C之间形成3个氢键,A与T之间形成2个氢键。下列有关叙述正确的是 ① 脱氧核苷酸数=磷酸数=碱基总数=m ② 碱基之间的氢键数为(3m-2n)/2 ③一条链中A+T的数量为n ④G的数量为m-n()

A.①②③④

B.②③④

C.③④

D.①②③

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第3题

对于公式c=Qm△t,下列理解正确的是()

A.物质的比热容与物体吸收的热量、物体的质量及物体温度的变化有关

B.比热容是物质的特性,与Q、m、△t无关,但可以用c=Qm△t计算

C.由公式知:质量相等的不同物质,升高相同的温度,吸收热量多的比热容小

D.比热容表示物质的吸热能力,吸热能力越强,c越小

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第4题

制造某种产品的成本 C 按照公式C=0.03rst²计算,其中 r,s 是该产品两种主要成分的数量(公斤),t 表示生产时间(小时)。如果 r 增加 50%,s 增加 20%,t 减少 30%,则制造成本约变化百分之几()

A.增加 40%

B.增加 12%

C.增加 4%

D.减少 4%

E.减少 12%

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第5题

对于公式,下列理解正确的是()

A.物质的比热容与物体吸收的热量、物体的质量及物体温度的变化有关

B.比热容是物质的特性,与Q、m、△t无关,但可以用计算

C.由公式知:质量相等的不同物质,升高相同的温度,吸收热量多的比热容小

D.比热容表示物质的吸热能力,吸热能力越强,c越小

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第6题

速度是用来描述物体运动得快慢物理量。速度的公式为 v=s/t ,标准单位是m/s()
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第7题

在温度T时,化学反应的标准摩尔吉布斯自由能变可以近似利用公式进行计算。()
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第8题

输入m和n(m≥n≥0)后,计算m!/n!(m-n)!表达式的值并输出。要求将计算阶乘的运算写成函数fact(n),函数

输入m和n(m≥n≥0)后,计算m!/n!(m-n)!表达式的值并输出。要求将计算阶乘的运算写成函数fact(n),函数返回值的类型为float。

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第9题

硅片热氧化生长遵从如下公式:t+At=B(t+τ),其中t为硅片经过t时B/A为线性速率系数间后SiO的生长厚度(μm);B为抛物线速率系数(μm(μm/h);τ为生成初始氧化层(同一工艺参数)所用的时间(h)。我们希望通过对一初始表面氧化层厚度为0的硅片进行一2段氧化过程:干氧(0.5h)—湿氧(2h)来生成厚的SiO薄膜作为隔离场氧层。干氧温度为1100℃,湿氧水汽氧化温度2为920℃。已知:920℃下水汽氧化相关工艺参数分别为:A=0.50μm,B=0.20μm/h;1100℃下干氧氧化相关工艺参数分别为:2A=0.09μm,B=0.03μm/h。试计算:a、0.5h内干氧生成的SiO厚度(μm)b、2h内湿氧水汽氧化所生成的SiO厚度(μm)c、整个氧化过程所消耗的硅层的厚度(μm)。
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第10题

根据《供电系统供电可靠性评价规程(DL/T836.2-2016)》规定,停电缺供电量按W=KS1T公式计算,其中:T为停电持续时间,或等效停电持续时间,单位为小时()
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