题目内容
(请给出正确答案)
[单选题]
下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是
A.是局部去极化电位
B.具有“全或无”性质
C.是局部超极化电位
D.由突触前膜递质释放量减少所致
E.由突触后膜对钠通透性增加所致
答案
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A.是局部去极化电位
B.具有“全或无”性质
C.是局部超极化电位
D.由突触前膜递质释放量减少所致
E.由突触后膜对钠通透性增加所致
第2题
A.突触前轴突末梢超极化
B.突触后膜对Ca、K的通透性增大
C.突触后膜去极化
D.突触后膜电位负值增大,出现超极化
E.突触后膜对K、Na,尤其是K的通透性增大
第3题
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致 ()
A.Na+、K+,尤其是Na+
B.Ca2+、K+、Cl-,尤其是Ca2+
C.Na+、Cl、K+,尤其是K+
D.K+、Cl-,尤其是Cl-
E.K+、Ca2+、Na+,尤其是Ca2+
第4题
第7题
产生抑制性突触后电位时,通透性最大的离子是()A.K+B.Ca2+C.HCO3-D.C1-E.Na+
第8题
A.突触前轴突末梢去极化
B.a2+由膜外进入突触前膜内
C.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合
D.突触后膜对Cl-或K+的通透性升高
E.突触后膜去极化,引起突触后神经元发放冲动
第10题
发生抑制性突触后电位时,膜通透性增大的离子是
A Na+ B K+ C Ca2+ D CI- E HCO3-