在两块无限大的导体平板上均匀地通有电流，每块导体板单位宽度的电流均为I，两块板上的电流互相

(1)用高斯定理可以证明无限大均匀带电平板两侧的场强E=δ/2ε，这个公式对于靠近有限大小带电面的地方也适用．也就是说，根据这个结果，导体表面面元△S上的电荷在紧靠它的地方产生的场强也应是E=δ/2ε，但它比导体表面附近的场强E=δ/ε小一半，为什么？

(2)若一带电导体表面上某点附近电荷面密度为σ，则该点外表面附近的场强为E=δ/ε，如果将另一带电体移近，问该点的场强是否改变？公式E=δ/ε是否仍成立？

螺绕环中心周长l=10cm，环上均匀密绕线圈N=200匝，线圈中通有电流I=100mA。

两块带电量分别为Q₁、Q₂的导体平板平行相对放置(如图所示)，假设导体平板面积为S，两块导体平板间距为d，并且S ＞＞d．试证明

(1) 相向的两面电荷面密度大小相等符号相反；

(2)相背的两面电荷面密度大 小相等符号相同。

半径为R₁、磁导率为μ₁的无限长均匀磁介质圆柱体内均匀地通过传导电流I，在它的外面包有一个半径为R₂的无限长同轴圆柱面，其上通有与前者方向相反的面传导电流I．两者之间充满磁导率为μ₂的均匀磁介质．求空间各区的H和B。

将半径为R、电荷为q₀的导体球置于介电常量为ε的均匀无限大电介质中，求电介质内任一点的能量密度．

A.-(μ，-1)I/2πr

B.(μ，-1)I/2πr

C.μ_rI/2πr

D.I/2πrμ_r

将一块半导体样品放在xy平面内，如图所示，沿x轴方向通有电流I，沿z方向加一均匀磁场B，若测得薄片两侧电势差U_A-U'_A＞0，则此样品为______型半导体。