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[主观题]

如图9.4.8所示电路,试写出电路的节点列表方程的矩阵形式(相量形式)

如图9.4.8所示电路,试写出电路的节点列表方程的矩阵形式(相量形式)

如图9.4.8所示电路,试写出电路的节点列表方程的矩阵形式(相量形式)如图9.4.8所示电路,试写出

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更多“如图9.4.8所示电路,试写出电路的节点列表方程的矩阵形式(相量形式)”相关的问题

第1题

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(清华大学2005年考研试题)(1)电路如图15-5(a)所示,图15-5(b)为其对应的拓扑图,标准支路定义为图15—5(c)所示形式。试写出该电路矩阵形式的节点电压方程

(清华大学2005年考研试题)(1)电路如图15-5(a)所示,图15-5(b)为其对应的拓扑图,标中的各矩阵或向量

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第2题

电路如图3-21所示,已知场效应管的低频跨导为gm,试写出Av、Ri和Ro的表达式。

电路如图3-21所示,已知场效应管的低频跨导为gm,试写出Av、Ri和Ro的表达式。

电路如图3-21所示,已知场效应管的低频跨导为gm,试写出Av、Ri和Ro的表达式。电路如图3-21

图3-21

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第3题

试推导出题图3-5(a)所示电路的戴维南等效电路如图3-5(b)所示。写出推导过程。

试推导出题图3-5(a)所示电路的戴维南等效电路如图3-5(b)所示。写出推导过程。

试推导出题图3-5(a)所示电路的戴维南等效电路如图3-5(b)所示。写出推导过程。试推导出题图3-

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第4题

(北京交通大学2009年考研试题)如图15—48所示正弦电路中,已知L1=2H,L2=3H,M=1H,R3=R4=R5=1Ω,。(1)

(北京交通大学2009年考研试题)如图15—48所示正弦电路中,已知L1=2H,L2=3H,M=1H,R3=R4=R5=1Ω,

(北京交通大学2009年考研试题)如图15—48所示正弦电路中,已知L1=2H,L2=3H,M=1H。(1)选定参考点如图所示,将电路作必要的等效后写出关联矩阵A;(2)写出支路导纳矩阵和节点导纳矩阵;(3)用节点电压方程求节点①的电位。

(北京交通大学2009年考研试题)如图15—48所示正弦电路中,已知L1=2H,L2=3H,M=1H

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第5题

晶体振荡电路如图NP3-20(a)所示,已知,试分析电路能否产生正弦波振荡,若能振荡,试写出ωosc
晶体振荡电路如图NP3-20(a)所示,已知,试分析电路能否产生正弦波振荡,若能振荡,试写出ωosc

晶体振荡电路如图NP3-20(a)所示,已知晶体振荡电路如图NP3-20(a)所示,已知,试分析电路能否产生正弦波振荡,若能振荡,试写出ωosc,试分析电路能否产生正弦波振荡,若能振荡,试写出ωosc与ω1、ω2之间的关系。

晶体振荡电路如图NP3-20(a)所示,已知,试分析电路能否产生正弦波振荡,若能振荡,试写出ωosc

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第6题

可控增益放大电路如图8.3.1所示。当Qi=1时Si与vi接通;Qi=0,Si接地。 (1)试写出电路电压

可控增益放大电路如图8.3.1所示。当Qi=1时Si与vi接通;Qi=0,Si接地。

可控增益放大电路如图8.3.1所示。当Qi=1时Si与vi接通;Qi=0,Si接地。 (1)试写出电(1)试写出电路电压增

可控增益放大电路如图8.3.1所示。当Qi=1时Si与vi接通;Qi=0,Si接地。 (1)试写出电的表达式; (2)当v1=+5 mV,Q3Q2Q1Q0=1001时,计算vO的值; (3)求出电压增益的最大值。

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第7题

以运算形式写出如图9.4.7所示电路的割集电压方程的矩阵形式,设L3、L4、C5的初始条件为零。

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第8题

如图1-13所示的电路,写出(1)以uc(t)为响应的微分方程

专业课习题解析课程西安电子科技大学第一章信号与系统

1-12如图1-13所示的电路,写出

(1)以uc(t)为响应的微分方程。

(2)以iL (t)为响应的微分方程。

如图1-13所示的电路,写出(1)以uc(t)为响应的微分方程  专业课习题解析课程西安电子科技大学

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第9题

电路如图16.27所示,试证明:
电路如图16.27所示,试证明:

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第10题

放大电路如下图(a)所示,三极管的输出特性曲线如图(b)所示。试:

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放大电路如下图(a)所示,三极管的输出特性曲线如图(b)所示。试:放大电路如下图(a)所示,三极管的

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