MOSFET晶体管的截止频率与下面哪种参数无关：（）。

A.沟道长度调制效应

B.漏电场静电反馈效应

C.漏感应势垒降低

D.亚表面穿通效应

同一晶体管带动同一阻值的负载，在下述两种情况下，哪种电路的效率高，输出功率大，请说明原因。

(1)将负载电阻直接串接于晶体管的集电极电路。

(2)将负载电阻通过1:1变压器耦合到晶体管集电极电路。

A.空气阻尼式

B.电动式

C.晶体管式

D.电磁式

A.基区禁带宽

B.基区宽度窄

C.基区掺杂浓度高

D.特征频率高

A.公司的资产负债率持续大于60%，且货币资金小于有息负债

B.公司销售商品、提供劳务收到的现金与营业收入的比率为80%，并且营业收入增长率持续小于5%的公司

C.毛利率为80%的公司

D.购买固定资产、无形资产和其他长期资产支付的现金与经营活动现金流量净额比率为40%的公司

A.仅Ⅰ和Ⅱ

B.仅Ⅰ和Ⅱ

C.仅Ⅱ和Ⅳ

D.全部

A.“截止频率”点处的电压或电流下降到最大值的0.5倍

B.“截止频率”点处的电压或电流及功率下降到最大值的0.5倍

C.“截止频率”点处的电压或电流下降到最大值的约0.707倍，功率下降到最大值的0.5倍

D.“截止频率”点处的电压或电流即为最大值

在图4-64所示反馈型电流源电路中，三个晶体管的参数相同。试推导I₀与I_R之间的关系式。

A.scr

B.mosfet

C.GT-R

D.Igbt

信号通过截止频率的理想低通滤波器,试求响应的能量谱密度,以图形示出.