如图3所示，一个物块在与水平方向成α角的恒力F作用下，沿水平面向右运动一段距离x，在此过程中，恒力F对物块所做的功为（）。

测定恢复系数的仪器如图(a)所示。试验材料样块随杆绕轴O转动。杆自水平位置自由落下，在铅垂位置与障碍物相碰，该障碍物由试验材料制成。若碰撞后，杆回到与铅垂成φ角的位置。求恢复系数。若碰撞欲使轴O不受附加动压力，样块到轴的距离应为多大？

A.金属块逐渐浸入水中的过程，受到的浮力一直在减小

B.金属块的高度为h1

C.金属块的密度为F1F1－F2ρ水

D.金属块浸没后与入水前相比，水平桌面受到的压强增加F1－F2S

面成30°角。板面作用一矩为M=9kN·m的力偶，在点A处沿AB方向作用一大小为F=6 kN的力。构件自重不计，求各杆内力。

A.沿两个轨道下滑的位移大小相同

B.物块滑至B点时速度大小相同

C.沿轨道2下滑的位移大

D.沿轨道2下滑克服摩擦力做功多

数f₁=0.5，B与地面间的静摩擦因数f₂=0.2,在物块A的上方作用一斜方向的力F=600N。求物块的运动状态。

A.物块所受的浮力不断增大

B.木块的密度是水密度的25

C.图乙位置时力F的大小为＝23m2g

D.图乙位置时水对容器底部的压强为（3m1＋5m2）g3S

A.0～2s内物体处于静止状态

B.4～6s内物体的机械能不变

C.2～4s内物体受到的摩擦力为3N

D.4～6s内拉力对物体做功的功率为8W

一个MOSFET的转移特性如图题4.1.2所示(其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向)。试问：

(1)该管是耗尽型还是增强型？

(2)是N沟道还是P沟道FET？

(3)从这个转移特性上可求出该FET的夹断电压V_P还是开启电压V？其值等于多少？